MT53D8D1AJS-DC TR
참조 용
| 부품 번호 | MT53D8D1AJS-DC TR |
| PNEDA 부품 번호 | MT53D8D1AJS-DC-TR |
| 설명 | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,154 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT53D8D1AJS-DC TR 리소스
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MT53D8D1AJS-DC TR 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | * |
| 메모리 유형 | - |
| 메모리 포맷 | - |
| 기술 | - |
| 메모리 크기 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 137-VFBGA 공급자 장치 패키지 137-VFBGA (13x10.5) |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (13x15) |
