MT53D8DANW-DC TR
참조 용
| 부품 번호 | MT53D8DANW-DC TR |
| PNEDA 부품 번호 | MT53D8DANW-DC-TR |
| 설명 | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,754 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT53D8DANW-DC TR 리소스
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MT53D8DANW-DC TR 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | * |
| 메모리 유형 | - |
| 메모리 포맷 | - |
| 기술 | - |
| 메모리 크기 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Macronix 시리즈 MX29GL 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 110ns 접근 시간 110ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 56-TSOP |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, QDR II 메모리 크기 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (15x17) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 20ns 접근 시간 20ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 32-SOJ |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 FL-P 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5µs, 3ms 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
