MT53D8DBWF-DC
참조 용
| 부품 번호 | MT53D8DBWF-DC |
| PNEDA 부품 번호 | MT53D8DBWF-DC |
| 설명 | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,014 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT53D8DBWF-DC 리소스
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MT53D8DBWF-DC 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 376-WFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 376-WFBGA (14x14) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 1.7V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UFBGA, CSPBGA 공급자 장치 패키지 8-CSP |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ns 접근 시간 10ns 전압-공급 2.4V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
