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MT61M256M32JE-12 N:A

MT61M256M32JE-12 N:A

참조 용

부품 번호 MT61M256M32JE-12 N:A
PNEDA 부품 번호 MT61M256M32JE-12-N-A
설명 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT61M256M32JE-12 N:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT61M256M32JE-12 N:A
분류반도체메모리 IC기억

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MT61M256M32JE-12 N:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷RAM
기술SGRAM - GDDR6
메모리 크기8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.21V ~ 1.29V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스180-TFBGA
공급자 장치 패키지180-FBGA (12x14)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Tb (256G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

272-LFBGA

공급자 장치 패키지

272-LFBGA (14x18)

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

EM6HC16EWKG-10H

Etron Technology, Inc.

제조업체

Etron Technology, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x13)

93LC56B/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SST26VF016BAT-104I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST26 SQI®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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