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MTA8ATF51264HZ-2G1B1

MTA8ATF51264HZ-2G1B1

참조 용

부품 번호 MTA8ATF51264HZ-2G1B1
PNEDA 부품 번호 MTA8ATF51264HZ-2G1B1
설명 IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTA8ATF51264HZ-2G1B1 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTA8ATF51264HZ-2G1B1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MTA8ATF51264HZ-2G1B1, MTA8ATF51264HZ-2G1B1 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 386.49 KB)
PDFMTA8ATF51264HZ-2G6B1 데이터 시트 표지
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MTA8ATF51264HZ-2G1B1 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.2V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SOIC

제조업체

Macronix

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx25/26

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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