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MTM763200LBF

MTM763200LBF

참조 용

부품 번호 MTM763200LBF
PNEDA 부품 번호 MTM763200LBF
설명 MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTM763200LBF 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTM763200LBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MTM763200LBF, MTM763200LBF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 336.13 KB)
PDFMTM763200LBF 데이터 시트 표지
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  • MTM763200LBF Distributor

MTM763200LBF 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.9A, 1.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs105mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds280pF @ 10V
전력-최대700mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지WSMini6-F1-B

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2254pF @ 25V

전력-최대

156W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

NX1029X,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

330mA, 170mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 25V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

SI1965DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 6V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

IRF7329TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AO4801AS

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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