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MTZJT-7712B

MTZJT-7712B

참조 용

부품 번호 MTZJT-7712B
PNEDA 부품 번호 MTZJT-7712B
설명 DIODE ZENER 12V 500MW MSD
제조업체 Rohm Semiconductor
단가
1 ---------- $2.3822
250 ---------- $2.2705
500 ---------- $2.1589
1,000 ---------- $2.0472
2,500 ---------- $1.9542
5,000 ---------- $1.8611
재고 있음 17,543
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTZJT-7712B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTZJT-7712B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MTZJT-7712B, MTZJT-7712B 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 48.57 KB)
PDFMTZJT-725.1B 데이터 시트 표지
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  • MTZJT-7712B Distributor

MTZJT-7712B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr200nA @ 9V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AG, DO-34, Axial
공급자 장치 패키지MSD

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16V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 25.08V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 14.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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