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MUBW25-12T7

MUBW25-12T7

참조 용

부품 번호 MUBW25-12T7
PNEDA 부품 번호 MUBW25-12T7
설명 MODULE IGBT CBI E2
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUBW25-12T7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUBW25-12T7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MUBW25-12T7, MUBW25-12T7 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 91.79 KB)
PDFMUBW25-12T7 데이터 시트 표지
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MUBW25-12T7 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형Trench
구성Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전력-최대170W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대)2.7mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.8nF @ 25V
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E2
공급자 장치 패키지E2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

39A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT100DU170TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGLQ50DDA65T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual Boost Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

FS820R08A6P2LBBPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

820A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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