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MUBW45-12T6K

MUBW45-12T6K

참조 용

부품 번호 MUBW45-12T6K
PNEDA 부품 번호 MUBW45-12T6K
설명 MODULE IGBT CBI E1
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUBW45-12T6K 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUBW45-12T6K
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MUBW45-12T6K, MUBW45-12T6K 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 204.07 KB)
PDFMUBW45-12T6K 데이터 시트 표지
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MUBW45-12T6K 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형Trench
구성Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)43A
전력-최대160W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 45A
전류-수집기 차단 (최대)1.25mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.81nF @ 25V
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E1
공급자 장치 패키지E1

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Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

283A

전력-최대

682W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

25µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

FS200R07A5E3S6BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FZ600R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

900A

전력-최대

2800W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

42nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 75A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

APTGTQ50TA65T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

125W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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