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MUR110G

MUR110G

참조 용

부품 번호 MUR110G
PNEDA 부품 번호 MUR110G
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 26,190
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR110G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR110G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MUR110G, MUR110G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 178.57 KB)
PDFMUR160 데이터 시트 표지
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MUR110G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If875mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지Axial
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

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Comchip Technology

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

330mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

160pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SRAF1050HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BYW86-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

7.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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