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MUR190AHB0G

MUR190AHB0G

참조 용

부품 번호 MUR190AHB0G
PNEDA 부품 번호 MUR190AHB0G
설명 DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 2,376
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR190AHB0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR190AHB0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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MUR190AHB0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)900V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 900V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

40ns

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

작동 온도-접합

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-UFDFN

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

R7203506XXOO

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3500V

전류-평균 정류 (Io)

600A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.15V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

7µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 3500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, R62

작동 온도-접합

-

SF5408-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

HSM835GE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AB, SMC Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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