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MUR2X060A04

MUR2X060A04

참조 용

부품 번호 MUR2X060A04
PNEDA 부품 번호 MUR2X060A04
설명 DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,324
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR2X060A04 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR2X060A04
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MUR2X060A04, MUR2X060A04 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 649.11 KB)
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MUR2X060A04 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 60A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 400V
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

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BAS40-04-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 40mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 1400V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ADD-A-PAK (3)

공급자 장치 패키지

ADD-A-PAK®

MBRT600100R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

Three Tower

MSRT25060(A)

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 250A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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