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MUR810G

MUR810G

참조 용

부품 번호 MUR810G
PNEDA 부품 번호 MUR810G
설명 DIODE GEN PURP 100V 8A TO220-2
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 16,752
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR810G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR810G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MUR810G, MUR810G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 245.29 KB)
PDFMUR805 데이터 시트 표지
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MUR810G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220-2
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

AU3PJ-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.7A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

72pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

UF1DLW RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123W

공급자 장치 패키지

SOD123W

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SB007-03Q-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

70mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 70mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

작동 온도-접합

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SS2H10-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

790mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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