MURB820TRR
참조 용
| 부품 번호 | MURB820TRR |
| PNEDA 부품 번호 | MURB820TRR |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,336 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MURB820TRR 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MURB820TRR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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MURB820TRR 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | FRED Pt® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 975mV @ 8A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 90V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-220AA 공급자 장치 패키지 DO-220AA (SMP) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Littelfuse Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 12.7A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 12.7A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4µs 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Isolated Tab 공급자 장치 패키지 TO-220 Isolated Tab 작동 온도-접합 -40°C ~ 125°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 2600V 전류-평균 정류 (Io) 600A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.15V @ 1500A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 7µs 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 2600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AB, B-PUK 공급자 장치 패키지 DO-200AB, B-PUK 작동 온도-접합 - |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 200A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-67 공급자 장치 패키지 D-67 작동 온도-접합 - |
