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MURS160T3G

MURS160T3G MURS160T3G

참조 용

부품 번호 MURS160T3G
PNEDA 부품 번호 MURS160T3G
설명 DIODE GEN PURP 600V 2A SMB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,842,276
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MURS160T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURS160T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MURS160T3G, MURS160T3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 181.28 KB)
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MURS160T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지SMB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

220V

전류-평균 정류 (Io)

1.75A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 1.2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 220V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, E

공급자 장치 패키지

D-5B

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

120µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SR1090 C0G

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

30BQ150TR

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SCS208AMC

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 8A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

160µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

291pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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