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MURT10005R

MURT10005R

참조 용

부품 번호 MURT10005R
PNEDA 부품 번호 MURT10005R
설명 DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,168
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MURT10005R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURT10005R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MURT10005R, MURT10005R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 744.26 KB)
PDFMURT10020R 데이터 시트 표지
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MURT10005R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 50A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 50V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Three Tower
공급자 장치 패키지Three Tower

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150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

96A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40mA @ 100V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 35V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

540mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.75mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247AC

MBRTA600150R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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