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MWI150-06A8

MWI150-06A8

참조 용

부품 번호 MWI150-06A8
PNEDA 부품 번호 MWI150-06A8
설명 TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MWI150-06A8 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MWI150-06A8
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MWI150-06A8, MWI150-06A8 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 77.78 KB)
PDFMWI150-06A8 데이터 시트 표지
MWI150-06A8 데이터 시트 페이지 2

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MWI150-06A8 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)170A
전력-최대515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E3
공급자 장치 패키지E3

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IGBT 유형

NPT

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Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

112A

전력-최대

543W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

1.1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4

공급자 장치 패키지

SOT-227

A1P25S12M3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전력-최대

197W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1550pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

ACEPACK™ 1

GHIS080A120S-A2

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.3nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

CM100E3U-24H

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

650W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

6250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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