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MX25L12855FXDI-10G

MX25L12855FXDI-10G

참조 용

부품 번호 MX25L12855FXDI-10G
PNEDA 부품 번호 MX25L12855FXDI-10G
설명 IC FLASH 128M SPI 24CSPBGA
제조업체 Macronix
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 29 - 4월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MX25L12855FXDI-10G 리소스

브랜드 Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MX25L12855FXDI-10G
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MX25L12855FXDI-10G, MX25L12855FXDI-10G 데이터 시트 (총 페이지: 101, 크기: 3,691.9 KB)
PDFMX25L12855FXDI-10G 데이터 시트 표지
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  • MX25L12855FXDI-10G Distributor

MX25L12855FXDI-10G 사양

제조업체Macronix
시리즈MXSMIO™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지30µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지24-CSPBGA (6x8)

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제조업체

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기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Tb (128G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

272-LFBGA

공급자 장치 패키지

272-LFBGA (14x18)

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

CY14B104N-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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