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MX25L3206EZUI-12G

MX25L3206EZUI-12G

참조 용

부품 번호 MX25L3206EZUI-12G
PNEDA 부품 번호 MX25L3206EZUI-12G
설명 IC FLASH 32M SPI 86MHZ 8USON
제조업체 Macronix
단가 견적 요청
재고 있음 53,778
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MX25L3206EZUI-12G 리소스

브랜드 Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MX25L3206EZUI-12G
분류반도체메모리 IC기억

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MX25L3206EZUI-12G 사양

제조업체Macronix
시리즈MX25xxx05/06
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수86MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-USON (4x4)

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Socket

패키지 / 케이스

72-SIMM

공급자 장치 패키지

72-SIMM

71024S15TYG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

71V65703S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1.5Tb (192G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

132-VBGA (12x18)

71V3559S85BQG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

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