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MX29GL128FDXGI-11G

MX29GL128FDXGI-11G

참조 용

부품 번호 MX29GL128FDXGI-11G
PNEDA 부품 번호 MX29GL128FDXGI-11G
설명 IC FLASH 128M PARALLEL 56FBGA
제조업체 Macronix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MX29GL128FDXGI-11G 리소스

브랜드 Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MX29GL128FDXGI-11G
분류반도체메모리 IC기억

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MX29GL128FDXGI-11G 사양

제조업체Macronix
시리즈MX29GL
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지110ns
접근 시간110ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-TFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지56-FBGA, CSP (7x9)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

88-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

88-SCSP (8x11)

AT45DB321D-MU-SL954

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFN (6x5)

MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-WFBGA

공급자 장치 패키지

168-WFBGA (12x12)

CY7C1302DV25-167BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

DS1250AB-100

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

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