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MX29LV400CBXBC-90G

MX29LV400CBXBC-90G

참조 용

부품 번호 MX29LV400CBXBC-90G
PNEDA 부품 번호 MX29LV400CBXBC-90G
설명 IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
제조업체 Macronix
단가 견적 요청
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MX29LV400CBXBC-90G 리소스

브랜드 Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MX29LV400CBXBC-90G
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MX29LV400CBXBC-90G, MX29LV400CBXBC-90G 데이터 시트 (총 페이지: 76, 크기: 3,333.48 KB)
PDFMX29LV800CTMI-55Q 데이터 시트 표지
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MX29LV400CBXBC-90G 사양

제조업체Macronix
시리즈MX29LV
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지90ns
접근 시간90ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지48-TFBGA, CSP (6x8)

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제조업체

Honeywell Aerospace

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel, SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

-55°C ~ 225°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

56-BCPGA

공급자 장치 패키지

56-CPGA

W29N04GVSIAF

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

CY7C1518AV18-167BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

M95160-MN6P

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

71V256S10YG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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