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MX66L1G45GXDI-10G

MX66L1G45GXDI-10G

참조 용

부품 번호 MX66L1G45GXDI-10G
PNEDA 부품 번호 MX66L1G45GXDI-10G
설명 IC FLASH SERIAL NOR 1G 24CSP
제조업체 Macronix
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MX66L1G45GXDI-10G 리소스

브랜드 Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MX66L1G45GXDI-10G
분류반도체메모리 IC기억

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MX66L1G45GXDI-10G 사양

제조업체Macronix
시리즈*
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TFBGA

공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x8)

CY6264-55SNXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

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시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

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28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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28-SOIC

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Cypress Semiconductor

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시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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MT53D512M32D2DS-046 WT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

2.133GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

0.6V, 1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1413JV18-200BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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