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N24C02UVTG

N24C02UVTG

참조 용

부품 번호 N24C02UVTG
PNEDA 부품 번호 N24C02UVTG
설명 IC EEPROM 2K I2C 1MHZ US8
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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N24C02UVTG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호N24C02UVTG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
N24C02UVTG, N24C02UVTG 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 243.24 KB)
PDFN24C02UDTG 데이터 시트 표지
N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 2 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 3 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 4 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 5 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 6 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 7 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 8 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 9 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 10 N24C02UDTG 데이터 시트 페이지 11

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N24C02UVTG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (128 x 16)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간450ns
전압-공급1.6V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
공급자 장치 패키지US8

관심을 가질만한 제품

S34ML04G200TFB000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

EM6HC16EWKG-10H

Etron Technology, Inc.

제조업체

Etron Technology, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x13)

IS25WP032D-JLLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

IS43LR16400C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (8x10)

IDT71V256SA20PZI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

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IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

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MMBT2222ALT1G

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