N25Q016A11EF640E
참조 용
| 부품 번호 | N25Q016A11EF640E |
| PNEDA 부품 번호 | N25Q016A11EF640E |
| 설명 | IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8DFN |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,266 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택) |
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N25Q016A11EF640E 리소스
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N25Q016A11EF640E 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 16Mb (2M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 108MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 8ms, 1ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 2V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) |
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제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 12ns 접근 시간 12ns 전압-공급 2.4V ~ 2.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 208-LFBGA 공급자 장치 패키지 208-CABGA (15x15) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 75MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ms, 5ms 접근 시간 - 전압-공급 2.3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-VFQFPN (6x5) |
