N25Q064A13EF640E
참조 용
| 부품 번호 | N25Q064A13EF640E |
| PNEDA 부품 번호 | N25Q064A13EF640E |
| 설명 | IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,804 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
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N25Q064A13EF640E 리소스
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N25Q064A13EF640E 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 64Mb (16M x 4) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 108MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 8ms, 5ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 128Mb (32M x 4) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 8ms, 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 2V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-VDFPN (MLP8) (8x6) |
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제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 9ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x14) |
