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N25Q128A13ESFC0G

N25Q128A13ESFC0G

참조 용

부품 번호 N25Q128A13ESFC0G
PNEDA 부품 번호 N25Q128A13ESFC0G
설명 IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2
제조업체 Micron Technology Inc.
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N25Q128A13ESFC0G 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호N25Q128A13ESFC0G
분류반도체메모리 IC기억

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N25Q128A13ESFC0G 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (32M x 4)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8ms, 5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOP2

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메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

64Mb (2M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-LFBGA

공급자 장치 패키지

90-LFBGA (8x13)

CY7C0851V-167BBC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

CY62157EV30LL-45ZSXA

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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