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NAND256W4A0AN6E

NAND256W4A0AN6E

참조 용

부품 번호 NAND256W4A0AN6E
PNEDA 부품 번호 NAND256W4A0AN6E
설명 IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 6,030
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NAND256W4A0AN6E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND256W4A0AN6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND256W4A0AN6E, NAND256W4A0AN6E 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 882.74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F 데이터 시트 표지
NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 2 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 3 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 4 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 5 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 6 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 7 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 8 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 9 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 10 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 11

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NAND256W4A0AN6E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50ns
접근 시간50ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP I

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

AT28C64B-20JA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

NMC27C16BQE150

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - UV

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP (0.600", 15.24mm) Window

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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