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NAND512R3A2BZA6E

NAND512R3A2BZA6E

참조 용

부품 번호 NAND512R3A2BZA6E
PNEDA 부품 번호 NAND512R3A2BZA6E
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
제조업체 STMicroelectronics
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NAND512R3A2BZA6E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND512R3A2BZA6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND512R3A2BZA6E, NAND512R3A2BZA6E 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 882.74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F 데이터 시트 표지
NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 2 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 3 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 4 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 5 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 6 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 7 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 8 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 9 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 10 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 11

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NAND512R3A2BZA6E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지60ns
접근 시간60ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스63-VFBGA
공급자 장치 패키지63-VFBGA (8.5x15)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

CY14B256Q1A-SXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT47H32M16CC-3:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (12x12.5)

S34ML01G100TFI900

SkyHigh Memory Limited

제조업체

SkyHigh Memory Limited

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT29F32G08CBADBWPR:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

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