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NAND512W3A2BN6E

NAND512W3A2BN6E

참조 용

부품 번호 NAND512W3A2BN6E
PNEDA 부품 번호 NAND512W3A2BN6E
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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NAND512W3A2BN6E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND512W3A2BN6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND512W3A2BN6E, NAND512W3A2BN6E 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 882.74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F 데이터 시트 표지
NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 2 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 3 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 4 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 5 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 6 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 7 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 8 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 9 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 10 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 11

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NAND512W3A2BN6E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50ns
접근 시간50ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

24LC02BT-I/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

MT49H8M36BM-TI:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

288Mb (8M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-µBGA (18.5x11)

IS46LR32160B-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

CY14B104NA-ZS45XET

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.63V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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