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NAND512W3A2BN6F

NAND512W3A2BN6F

참조 용

부품 번호 NAND512W3A2BN6F
PNEDA 부품 번호 NAND512W3A2BN6F
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
제조업체 STMicroelectronics
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NAND512W3A2BN6F 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND512W3A2BN6F
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND512W3A2BN6F, NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 882.74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F 데이터 시트 표지
NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 2 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 3 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 4 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 5 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 6 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 7 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 8 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 9 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 10 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 11

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NAND512W3A2BN6F 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50ns
접근 시간50ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP

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메모리 포맷

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기술

DRAM

메모리 크기

288Mb (16M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

AT49BV802AT-70TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

BR93G46FJ-3AGE2

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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