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NAND512W3A2BZA6E

NAND512W3A2BZA6E

참조 용

부품 번호 NAND512W3A2BZA6E
PNEDA 부품 번호 NAND512W3A2BZA6E
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
제조업체 STMicroelectronics
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NAND512W3A2BZA6E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND512W3A2BZA6E
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND512W3A2BZA6E, NAND512W3A2BZA6E 데이터 시트 (총 페이지: 56, 크기: 882.74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F 데이터 시트 표지
NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 2 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 3 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 4 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 5 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 6 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 7 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 8 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 9 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 10 NAND512W3A2BN6F 데이터 시트 페이지 11

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NAND512W3A2BZA6E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50ns
접근 시간50ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스63-VFBGA
공급자 장치 패키지63-VFBGA (8.5x15)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

MT41K1G8TRF-125 IT:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (9.5x11.5)

IDT71V3556S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

M87C257-90C1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

71V67703S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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