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NCD5703ADR2G

NCD5703ADR2G

참조 용

부품 번호 NCD5703ADR2G
PNEDA 부품 번호 NCD5703ADR2G
설명 METAL SPIN OF NCD5703A. H
제조업체 ON Semiconductor
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NCD5703ADR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCD5703ADR2G
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCD5703ADR2G, NCD5703ADR2G 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 667.06 KB)
PDFNCD5703CDR2G 데이터 시트 표지
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NCD5703ADR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급20V
논리 전압-VIL, VIH0.75V, 4.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)7.8A, 6.8A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)9.2ns, 7.9ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 8A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

6.5ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-WSON-6-1

MCP14A0452-E/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.5A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9.5ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

IR2110-1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

3.3V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

500V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads

공급자 장치 패키지

14-PDIP

MAX5062CASA+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 12.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

125V

상승 / 하강 시간 (일반)

65ns, 65ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

L6385D

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

17V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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