NCP302150MNTWG
참조 용
| 부품 번호 | NCP302150MNTWG |
| PNEDA 부품 번호 | NCP302150MNTWG |
| 설명 | IC MOSFET DVR HI/LO SIDE PQFN31 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,212 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NCP302150MNTWG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NCP302150MNTWG |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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NCP302150MNTWG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | * |
| 구동 구성 | - |
| 채널 유형 | - |
| 드라이버 수 | - |
| 게이트 유형 | - |
| 전압-공급 | - |
| 논리 전압-VIL, VIH | - |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | - |
| 입력 유형 | - |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Maxim Integrated 시리즈 Military, MIL-STD-883 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.5A, 1.5A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-CERDIP |
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제조업체 Linear Technology/Analog Devices 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 3V ~ 42V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x2) |
