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NCP303150MNTWG

NCP303150MNTWG

참조 용

부품 번호 NCP303150MNTWG
PNEDA 부품 번호 NCP303150MNTWG
설명 INTEGRATED DRIVER & MOSFF
제조업체 ON Semiconductor
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NCP303150MNTWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCP303150MNTWG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCP303150MNTWG, NCP303150MNTWG 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 578.06 KB)
PDFNCP303150MNTWG 데이터 시트 표지
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NCP303150MNTWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge, Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 5.5V
논리 전압-VIL, VIH0.65V, 2.7V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)100mA, 100mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)30V
상승 / 하강 시간 (일반)17ns, 26ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스39-PowerVFQFN
공급자 장치 패키지39-PQFN (5x6)

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제조업체

Power Integrations

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

-

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

18A, 18A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FAN7190M

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 22V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.5A, 4.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

1SC0450E2A0-45

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

50A, 50A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

4500V

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

L6743BTR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 12V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, -

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

41V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VFDFPN (3x3)

NCP81074BMNTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10A, 10A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4ns, 4ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x2)

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