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NCP5351DG

NCP5351DG

참조 용

부품 번호 NCP5351DG
PNEDA 부품 번호 NCP5351DG
설명 IC DRVR SYNC BUCK MOSF 4A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,150
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCP5351DG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCP5351DG
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCP5351DG, NCP5351DG 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 189.05 KB)
PDFNCP5351DR2G 데이터 시트 표지
NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 2 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 3 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 4 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 5 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 6 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 7 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 8 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 9 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 10 NCP5351DR2G 데이터 시트 페이지 11

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  • NCP5351DG Distributor

NCP5351DG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 6.5V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)25V
상승 / 하강 시간 (일반)8ns, 14ns
작동 온도-30°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 7ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

HIP4086AABZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SOIC

IR2118STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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