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NCV5104DR2G

NCV5104DR2G

참조 용

부품 번호 NCV5104DR2G
PNEDA 부품 번호 NCV5104DR2G
설명 IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,996
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NCV5104DR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCV5104DR2G
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCV5104DR2G, NCV5104DR2G 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 241.42 KB)
PDFNCP5104PG 데이터 시트 표지
NCP5104PG 데이터 시트 페이지 2 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 3 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 4 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 5 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 6 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 7 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 8 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 9 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 10 NCP5104PG 데이터 시트 페이지 11

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  • NCV5104DR2G Distributor

NCV5104DR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)250mA, 500mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)600V
상승 / 하강 시간 (일반)85ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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구동 구성

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게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

L6386D013TR

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

17V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

1.5V, 3.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SO

2SD300C17A1

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

-

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

45-DIP Module, 43 Leads

공급자 장치 패키지

Module

IR21531

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15.6V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 45ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

IRS21962STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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