NCV5230DR2G
참조 용
| 부품 번호 | NCV5230DR2G |
| PNEDA 부품 번호 | NCV5230DR2G |
| 설명 | IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,808 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NCV5230DR2G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NCV5230DR2G |
| 분류 | 반도체 › 앰프 IC › 선형-증폭기-계측, OP 증폭기, 버퍼 증폭기 |
| 데이터 시트 |
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NCV5230DR2G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 앰프 유형 | General Purpose |
| 회로 수 | 1 |
| 출력 유형 | Rail-to-Rail |
| 슬 루율 | 0.25V/µs |
| Gain 대역폭 제품 | 600kHz |
| -3db 대역폭 | - |
| 전류-입력 바이어스 | 40nA |
| 전압-입력 오프셋 | 400µV |
| 전류-공급 | 1.1mA |
| 전류-출력 / 채널 | 32mA |
| 전압-공급, 단일 / 이중 (±) | 1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 앰프 유형 - 회로 수 - 출력 유형 - 슬 루율 - Gain 대역폭 제품 - -3db 대역폭 - 전류-입력 바이어스 - 전압-입력 오프셋 - 전류-공급 - 전류-출력 / 채널 - 전압-공급, 단일 / 이중 (±) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 시리즈 - 앰프 유형 General Purpose 회로 수 2 출력 유형 - 슬 루율 5V/µs Gain 대역폭 제품 12MHz -3db 대역폭 - 전류-입력 바이어스 100nA 전압-입력 오프셋 300µV 전류-공급 6mA 전류-출력 / 채널 50mA 전압-공급, 단일 / 이중 (±) 4V ~ 32V, ±2V ~ 16V 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Analog Devices Inc. 시리즈 - 앰프 유형 Zero-Drift 회로 수 2 출력 유형 - 슬 루율 0.4V/µs Gain 대역폭 제품 430kHz -3db 대역폭 - 전류-입력 바이어스 15pA 전압-입력 오프셋 5µV 전류-공급 170µA 전류-출력 / 채널 25mA 전압-공급, 단일 / 이중 (±) 2.7V ~ 5.5V, ±1.35V ~ 2.75V 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
