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NCV57001DWR2G

NCV57001DWR2G

참조 용

부품 번호 NCV57001DWR2G
PNEDA 부품 번호 NCV57001DWR2G
설명 IC IGBT GATE DRIVER
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $35.7670
100 ---------- $34.0905
250 ---------- $32.4139
500 ---------- $30.7373
750 ---------- $29.3402
1,000 ---------- $27.9430
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NCV57001DWR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCV57001DWR2G
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCV57001DWR2G, NCV57001DWR2G 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 224.06 KB)
PDFNCV57001DWR2G 데이터 시트 표지
NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 2 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 3 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 4 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 5 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 6 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 7 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 8 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 9 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 10 NCV57001DWR2G 데이터 시트 페이지 11

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  • NCV57001DWR2G Distributor

NCV57001DWR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급24V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)7.8A, 7.1A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)10ns, 15ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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2

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N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-10°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

20A, 20A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FAN7388MX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

350mA, 650mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

22V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC27325D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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