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NCV5703ADR2G

NCV5703ADR2G

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부품 번호 NCV5703ADR2G
PNEDA 부품 번호 NCV5703ADR2G
설명 HIGH CURRENT GATE DRIVER
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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NCV5703ADR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NCV5703ADR2G
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
NCV5703ADR2G, NCV5703ADR2G 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 667.03 KB)
PDFNCV5703ADR2G 데이터 시트 표지
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  • NCV5703ADR2G Distributor

NCV5703ADR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급20V
논리 전압-VIL, VIH0.75V, 4.3V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1A, 1A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)9.2ns, 7.9ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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채널 유형

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

15V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-QFN (4x4)

FAN3229TMX-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LTC4444HMS8E-5#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 13.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.25V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

IXS839S1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

24V

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

PX3511BDAG

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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