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NDS8926

NDS8926

참조 용

부품 번호 NDS8926
PNEDA 부품 번호 NDS8926
설명 MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $20.8430
100 ---------- $19.8660
250 ---------- $18.8890
500 ---------- $17.9120
750 ---------- $17.0978
1,000 ---------- $16.2836
재고 있음 39
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NDS8926 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDS8926
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDS8926, NDS8926 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 63.16 KB)
PDFNDS8926 데이터 시트 표지
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  • NDS8926 Distributor

NDS8926 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds760pF @ 10V
전력-최대900mW
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

251pF @ 25V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

CSD88539NDT

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

741pF @ 30V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP4047SSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1154pF @ 20V

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI4228DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 12.5V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 15µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1470pF @ 25V

전력-최대

41W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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