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NDS8936

NDS8936

참조 용

부품 번호 NDS8936
PNEDA 부품 번호 NDS8936
설명 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,596
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NDS8936 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDS8936
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDS8936, NDS8936 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 198.69 KB)
PDFNDS8936 데이터 시트 표지
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NDS8936 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds720pF @ 15V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1061pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

532pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRF7379PBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EFC4619R-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

EFCP1616-4CE-022

ECH8602M-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

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