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NDUL03N150CG

NDUL03N150CG

참조 용

부품 번호 NDUL03N150CG
PNEDA 부품 번호 NDUL03N150CG
설명 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3
제조업체 ON Semiconductor
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NDUL03N150CG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDUL03N150CG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NDUL03N150CG, NDUL03N150CG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 255.64 KB)
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NDUL03N150CG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3P(L)
패키지 / 케이스TO-3PL

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Vishay Siliconix

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

295mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 5.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 26µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

513pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

68W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI1073X-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

173mOhm @ 980mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.45nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

236mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-89-6

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

STD12N50M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

85W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6909pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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