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NE3503M04-A

NE3503M04-A

참조 용

부품 번호 NE3503M04-A
PNEDA 부품 번호 NE3503M04-A
설명 FET RF 4V 12GHZ M04
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3503M04-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3503M04-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3503M04-A, NE3503M04-A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,025.81 KB)
PDFNE3503M04-T2-A 데이터 시트 표지
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NE3503M04-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득12dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)70mA
소음 수치0.45dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지M04

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ATF-36077-STR

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

12GHz

이득

12dB

전압-테스트

1.5V

전류 정격 (Amps)

45mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

5dBm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

4-SMD (77 Pack)

공급자 장치 패키지

77

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

14.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

280mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

BLF644PU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1228A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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