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NE3503M04-A

NE3503M04-A

참조 용

부품 번호 NE3503M04-A
PNEDA 부품 번호 NE3503M04-A
설명 FET RF 4V 12GHZ M04
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3503M04-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3503M04-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3503M04-A, NE3503M04-A 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,025.81 KB)
PDFNE3503M04-T2-A 데이터 시트 표지
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NE3503M04-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득12dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)70mA
소음 수치0.45dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지M04

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제조업체

CEL

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트랜지스터 유형

HFET

주파수

1.9GHz

이득

12dB

전압-테스트

3.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

27dBm

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

79A

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

14dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

PTFB093608FVV2XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

3W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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