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NE3509M04-T2-A

NE3509M04-T2-A

참조 용

부품 번호 NE3509M04-T2-A
PNEDA 부품 번호 NE3509M04-T2-A
설명 FET RF 4V 2GHZ SOT-343
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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NE3509M04-T2-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3509M04-T2-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3509M04-T2-A, NE3509M04-T2-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 496.34 KB)
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NE3509M04-T2-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수2GHz
이득17.5dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)60mA
소음 수치0.4dB
현재-테스트10mA
전원-출력11dBm
전압-정격4V
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지M04

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이득

17.2dB

전압-테스트

4V

전류 정격 (Amps)

300mA

소음 수치

0.8dB

현재-테스트

135mA

전원-출력

21.7dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

160mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400-240

공급자 장치 패키지

NI-400-240

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.81GHz ~ 2.17GHz

이득

31.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1212-3

공급자 장치 패키지

16-HSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

22.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 2GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

38W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-1

공급자 장치 패키지

SOT-1275-1

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