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NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

참조 용

부품 번호 NE3513M04-T2B-A
PNEDA 부품 번호 NE3513M04-T2B-A
설명 FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3513M04-T2B-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3513M04-T2B-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3513M04-T2B-A, NE3513M04-T2B-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,413.08 KB)
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NE3513M04-T2B-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel GaAs HJ-FET
주파수12GHz
이득13dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)60mA
소음 수치0.65dB
현재-테스트10mA
전원-출력125mW
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지4-Super Mini Mold

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전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-4/2

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

275W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

13dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-400

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