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NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

참조 용

부품 번호 NE3516S02-T1C-A
PNEDA 부품 번호 NE3516S02-T1C-A
설명 IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3516S02-T1C-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3516S02-T1C-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3516S02-T1C-A, NE3516S02-T1C-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,199.77 KB)
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NE3516S02-T1C-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel GaAs HJ-FET
주파수12GHz
이득14dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)60mA
소음 수치0.35dB
현재-테스트10mA
전원-출력165mW
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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패키지 / 케이스

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

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350mA

전원-출력

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STMicroelectronics

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

894MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

15A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

160W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

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