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NE552R679A-A

NE552R679A-A

참조 용

부품 번호 NE552R679A-A
PNEDA 부품 번호 NE552R679A-A
설명 FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE552R679A-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE552R679A-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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NE552R679A-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수460MHz
이득20dB
전압-테스트3V
전류 정격 (Amps)350mA
소음 수치-
현재-테스트300mA
전원-출력28dbm
전압-정격3V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지79A

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7.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

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150mA

전원-출력

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전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

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주파수

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전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

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시리즈

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주파수

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이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-780S-4

PD55025

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

31dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

19mA

전원-출력

-

전압-정격

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패키지 / 케이스

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6-TSSOP

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