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NE552R679A-T1A-A

NE552R679A-T1A-A

참조 용

부품 번호 NE552R679A-T1A-A
PNEDA 부품 번호 NE552R679A-T1A-A
설명 FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 4,878
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE552R679A-T1A-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE552R679A-T1A-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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NE552R679A-T1A-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수460MHz
이득20dB
전압-테스트3V
전류 정격 (Amps)350mA
소음 수치-
현재-테스트300mA
전원-출력28dbm
전압-정격3V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지79A

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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시리즈

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주파수

450MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

BLF10M6LS160U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

922.5MHz ~ 957.5MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

PTFA181001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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