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NE5550779A-A

NE5550779A-A

참조 용

부품 번호 NE5550779A-A
PNEDA 부품 번호 NE5550779A-A
설명 FET RF 30V 900MHZ 79A
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 6,822
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE5550779A-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE5550779A-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE5550779A-A, NE5550779A-A 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 5,166.19 KB)
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NE5550779A-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수900MHz
이득22dB
전압-테스트7.5V
전류 정격 (Amps)2.1A
소음 수치-
현재-테스트140mA
전원-출력38.5dBm
전압-정격30V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지79A

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-37265-2

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

30MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

15.2dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

7.3W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

AFM907NT1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

136MHz ~ 941MHz

이득

-

전압-테스트

10.8V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

8.4W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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