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NE851M33-T3-A

NE851M33-T3-A

참조 용

부품 번호 NE851M33-T3-A
PNEDA 부품 번호 NE851M33-T3-A
설명 RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
제조업체 CEL
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE851M33-T3-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE851M33-T3-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
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NE851M33-T3-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)5.5V
주파수-전환4.5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
이득-
전력-최대130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-SuperMiniMold (M33)

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

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전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

11.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

700mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

S-Mini

PN5179_D26Z

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

CEL

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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